Le carbure de silicium (SiC) est un composant céramique à base de silicium et de carbone, qui, grâce à ses propriétés, telles qu'une haute conductance thermique et une excellente tolérance aux dégâts induits par les radiations, se révèle parfaitement adapté aux applications des semi-conducteurs. Actuellement, le marché doit miser sur l'utilisation de plaquettes de SiC bon marché, de qualité supérieure et à large spectre, notamment pour les applications microélectroniques et biomédicales soumises à de hautes températures et utilisées dans des environnements hostiles.

Pour répondre à ce besoin, le projet FLASiC a développé un nouveau procédé de production de SiC cubique (3C-SiC) épitaxial et massif sur des substrats de silicium. L'objectif principal consistait à réduire la densité des défauts par différents ordres de grandeurs afin d'exploiter la mobilité élevée des électrons, la grande dimension et le faible coût du nouveau matériau. Pour parvenir à cette réduction, les chercheurs ont opté pour le recuit par lampe flash (FLA) dans la gamme de la milliseconde. En effet, cette technique offre une absorption énergétique hors pair au niveau de l'interface hétéroépitaxiale.

Dans cette optique, l'équipement FLA préexistant à été transformé pour satisfaire aux conditions requises par le procédé FLASiC, soit: les conditions de préchauffage, l'homogénéité de la surface irradiée (plaquette de 50 mm) et la reproductibilité des paramètres FLA. L'expérience issue de cette transformation a permis d'initier le développement d'un appareil prototype destiné au recuit par lampe flash. Les deux types d'équipements FLA (transformé et prototype) sont opérationnels. L'appareil prototype pourrait être utilisé pour les technologies Si et SiC tandis que le modèle transformé pourra être également employé pour d'autres matériaux.