L'AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) en collaboration avec la JAERI (Japan Atomic Energy Research Institute) ont conjointement développé un transistor en carbure de silicium (SiC) dont la mobilité électronique surpasse tous les dispositifs actuels.

En effet, le carbure de silicium s'avère être le semi-conducteur qui pourra amener un saut technologique significatif, au moins jusqu'à des fréquences de quelques GHz (ou la dizaine de GHz).

Grâce à ses propriétés hors du commun, le SiC sera certainement utilisé dans les dispositifs à très faibles pertes d'énergie appliqués dans les réseaux électrique, les moyens de transport et divers appareils domestiques. Grâce à sa meilleure résistance aux radiations en comparaison avec les dispositifs conventionnels en silicium, c'est aussi un bon candidat pour les instruments résistants aux radiations utilisés dans les satellites et les centrales nucléaires.

En juillet 2002, l'AIST et la JAERI avaient débuté un programme de recherche collaboratif afin de progresser sur des problèmes communs. En effet, bien que le SiC cubique (3C-SiC) possède les meilleures propriétés électriques parmi toutes les structures cristallines du SiC, des wafers de 3C-SiC de haute qualité etaient difficiles à obtenir.

Ainsi, lors de cette coopération, l'AIST s'est chargée de mettre un point une technologie permettant une croissance de couches épitaxiales de 3C-SiC de haute qualité, tandis que la JAERI a développé des procédés de fabrication pour ces transistors. L'AIST a réussi dans sa tâche a utiliser la technique de déposition en phase vapeur (CVD) appliquée à la croissance de couches épitaxiales de 3C-SiC de type P sur des substrats de 3C-SiC fournis par la société HOYA Advanced Semiconductor Technologies Co.,Ltd..

De son côté, la JAERI, en plus d'avoir réussi à former un film d'oxyde isolant par oxydation pyrogène, a reussi à former des régions de type N dans une couche épitaxiale de type P par l'implantation d'atomes de phosphore. Ainsi, la collaboration entre la JAERI et l'AIST a permis la fabrication du MOSFET canal N de 3C-SiC le plus performant au monde. Les mesures experimentales donnant une mobilité électronique dans le canal de 230 cm2/Vs.